• три серии приборов:
  • F - с напряжением питания 5 В
  • LV - с напряжением питания в диапазоне от 3,0 до 3,6 В
  • BV - с напряжением питания в диапазоне от 2,7 до 3,6 В
• единое напряжение питания для всех операций
• приборы с 8-разрядной, 16-разрядной и селективной (8 или 16 разрядов) организацией
• приборы с одновременным чтением/записью и конфигурированием загрузочных блоков
• программирование байт-за-байтом (слово-за-словом) с производительностью от 10 до 50 мкс/байт(слово), в зависимости от серии прибора и его конфигурации
• встроенный автомат программирования, встроенный таймер
• загрузочный блок, по старшим или младшим адресам, с устанавливаемой защитой от записи
• приборы с блоками параметров
• длительность цикла стирания (очистки) кристалла/сектора - 10 с
• аппаратная защита от случайного перепрограммирования
• опрос #DATA для выявления окончания цикла программирования
• малое потребление: не более 60 мА - в активном режиме и 0.3 мА в пассивном режиме
• типовое количество циклов программирования - не менее 10000
• исполнения для коммерческой (0°C...+70°C) и промышленной (-40°C...+85°C) аппаратуры

Семейство AT49F Flash ПЗУ перекрывает диапазон емкостей от 1 до 16 Мбит и имеет в своем составе 8-, 16-разрядные приборы и приборы с устанавливаемой по выводу BYTE# разрядностью (8 или 16). Во всех режимах приборы семейства работают от единого источника питания, что обеспечивает простое внутрисистемное перепрограммирование. Архитектурно каждый прибор является большой матрицей памяти с набором функциональных блоков, обеспечивающих фиксацию данных и адресов, декодирование адресов, управление процессом стирания и программирования, аппаратную и программную защиты от случайного перепрограммирования.

С точки зрения особенностей стирания/программирования матрица памяти приборов семейства подразделяется на один или несколько секторов основной памяти, загрузочный блок, и блоки параметров. Перепрограммирование выполняется путем прозрачной для пользователя очистки (стирания) встроенным автоматом, в течение внутреннего цикла очистки, всей матрицы памяти или сектора и по-байтовой (по-словной) записи.