AT25DF081A
AT25DF081A
8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, поблочное стирание (4кбайт, 32 кбайт или 64 кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт
Отличительные особенности:
- Одно напряжение питания 2.7…3.6 В
- Совместимость с последовательным интерфейсом SPI
- Поддержка режимов SPI 0 и 3
- Поддержка интерфейса RapidS
- Функция записи/чтения двух бит на один такт
- Высокая рабочая частота
- 100 МГц в режиме интерфейса RapidS
- 85 МГц в режиме интерфейса SP
- Время установки уровня выходного сигнала (Clock-to-Output) tV не более 5 нс
- Гибкая, оптимизированная под систем задачи хранения данных + программный код, функция стирания
- Стирание блоком по 4 кбайт
- Стирание блоком по 32 кбайт
- Стирание блоком по 64 кбайт
- Стирание всей памяти
- Индивидуальная защита сектора от записи/стирания с функцией глобальной установки/снятия защиты
- Шестнадцать секторов по 64 кбайт каждый
- Аппаратно управляемая блокировка защищенных секторов посредством вывода WP
- Функция последовательной блокировки (Lockdown) секторов
- Переводит любую комбинацию секторов по 64 кбайт в постоянное состояние "только чтение"
- 128-байтный однократнопрограммируемый (OTP) регистр защиты
- Гибкая функция записи
- Побайтовая или постраничная запись (от 1 до 256 байт)
- Высокая скорость записи и стирания
- Типовое время записи страницы (256 байт): 1 мс
- Типовое время стирания блока по 4 кбайт: 50 мс
- Типовое время стирания блока по 32 кбайт: 250 мс
- Типовое время стирания блока по 64 кбайт: 400 мс
- Автоматический режим определения и сигнализации ошибок записи/стирания:
- Программно управляемый сброс
- Соответствующий стандарту JEDEC метод чтения идентификатора (ID) устройства и производителя
- Малая мощность потребления
- Ток потребления в режиме чтения (при частоте 20 МГц): 5 мА (тип.)
- Ток потребления в режиме глубоко пониженного потребления (Deep Power-Down): 5 мкА (тип.)
- Износостойкость: 100 тыс. циклов программирования/стирания
- Хранение данных: 20 лет
- Промышленный температурный диапазон
- Экологически безопасные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений, RoHS-совместимые)
- 8-выв. SOIC (ширина 150 мд)
- 8-выв. ультратонкий DFN (5 мм x 6 мм x 0.6 мм)
Внутренняя структура:
Расположение выводов:
Описание:
AT25DF081A - Flash -память с последовательным интерфейсом доступа. Она рассчитана на использование в широком числе высокосерийных пользовательских приложений с теневым хранением программного кода (хранится во Flash -памяти, а после подачи питания загружается во внешнюю или внутреннюю оперативную память для исполнения). У AT25DF081 реализована гибкая архитектура стирания блоков памяти различных размеров (минимально 4 кбайт), что позволяет исключить из схемы дополнительные EEPROM для хранения данных.
Размеры секторов и стираемых блоков оптимизированы под потребности современных устройств, сочетающих функции хранения данных и программного кода. Благодаря этому, пространство памяти может использоваться более эффективно. В данном случае, модули программных кодов и сегменты данных могут находиться по соседству в пределах своих собственных защищенных секторов, что существенно снижает, свойственные Flash-памяти с большими размерами секторов и блоков, неиспользуемые объемы памяти. Таким образом, при прочих равных условиях, благодаря более высокой эффективности использования объемов памяти, появляется возможность хранения дополнительных подпрограмм и сегментов данных.
Документация:
|
|
1053 Kb Engl Описание микросхемы AT25DF081A |
|