TA = от -40°C до 85°C, VCC = от 2,7 В до 6,0 В (если не оговорено другое)
| Обо-знач. | Параметр | Условия | Мин | Тип | Макс | Ед. из- мерен. |
| VIL | Входное напряжение низкого уровня | -0,5 | 0,3 VCC | В | ||
| VIL1 | Входное напряжение низкого уровня | XTAL | -0,5 | 0,2 VCC | В | |
| VIH | Входное напряжение высокого уровня | Исключая (XTAL, RESET) | 0,6 VCC | VCC +0,5 | В | |
| VIH1 | Входное напряжение высокого уровня | XTAL | VCC +0,5 | В | ||
| VIH2 | Входное напряжение высокого уровня | RESET | VCC | В | ||
| V OL | Выходное напряжение низкого уровня (1). Порты A, B, C, D |
I OL = 10 мА, V CC = 3В |
0,6 0,5 В |
B | ||
| VOH | Выходн. напряжение высокого уровня. Порты A, B, C, D |
IOH = -3 мА, VCC = 5В IOH = -1,5мА, VCC = 3В |
4,2 2,3 |
В | ||
| IIL | Входной ток утечки вывода I/O | VCC = 6В, низкий уровень | -8,0 | 8,0 | мкА | |
| IIH | Входной ток утечки вывода I/O | VCC = 6 В, высокий уровень | -8,0 | 8,0 | мкА | |
| RRST | Нагрузочный резистор сброса | 100 | 500 | кОм | ||
| RI/O | Нагрузочный резистор I/O | 35 | 120 | кОм | ||
| ICC | Потребляемый ток в режимах: | Активный, 4 МГц, VCC =3 В(2) |
3,0 | мА | ||
| Idle, 4 МГц, VCC =3 В | 1,0 | 1,2 | мА | |||
| Power Down, 4 МГц, VCC =3 В, WDT разрешен | 8,5 | 15 | мкА | |||
| Power Down, 4 МГц, VCC =3 В, WDT запрещен | < 1 | 2,0 | мкА | |||
| VACIO | Напряжение смещения входа аналогового компаратора | VCC = 5 В | 40 | мВ | ||
| IACLK | Утечка по входу аналогового компаратора | VCC = 5 В, VIN = VCC/2 | -50 | 50 | нА | |
| tACPD | Задержка аналогового компаратора | VCC = 2,7 В, VCC = 4,0 В |
750 500 |
нс |
Примечания:
Таблица 39. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 4,0 до 6,0 В, без состояния ожидания
| Обозн. | Параметр | Генератор 8 МГц | Настраиваемый генератор | Ед. измер. | |||
| Мин | Макс | Мин | Макс | ||||
| 0 | 1/tCLCL | Частота генератора | 0,0 | 8,0 | МГц | ||
| 1 | tLHLL | Ширина импульса ALE | 32,5 | 0,5tCLCL -30,0 | нс | ||
| 2 | tAVLL | Действительность адреса A до низкого ALE | 22,5 | 0,5tCLCL -40,0 | нс | ||
| 3a | tLLAX_ST | Удержание адреса после низкого ALE, команды ST/STD/STS | 67,5 | 0,5tCLCL -5,0 | нс | ||
| 3b | tLLAX_LD | Удержание адреса после низкого ALE, команды LD/LDD/LDS | 15,0 | 15,0 | нс | ||
| 4 | tAVLLC | Действительность адреса C до низкого ALE | 22,5 | 0,5tCLCL -40,0 | нс | ||
| 5 | tAVRL | Действительность адреса до низкого RD | 95,0 | 1,0tCLCL -30,0 | нс | ||
| 6 | tAVWL | Действительность адреса до низкого WR | 157,5 | 1,5tCLCL -30,0 | нс | ||
| 7 | tLLWL | Низкий ALE до низкого WR | 105,0 | 145 | 1,0tCLCL -20,0 | 1,0tCLCL +20,0 | нс |
| 8 | tLLRL | Низкий ALE до низкого RD | 42,5 | 82,5 | 0,5tCLCL -20,0 | нс | |
| 9 | tDVRH | Установка данных до высокого RD | 60,0 | 60,0 | нс | ||
| 10 | tRLDV | Низкое чтение до действительных данных | 70,0 | 1,0tCLCL -55,0 | нс | ||
| 11 | tRHDX | Удержание данных после высокого RD | 0,0 | 0,0 | нс | ||
| 12 | tRLRH | Ширина импульса RD | 105,0 | 1,0tCLCL -20,0 | нс | ||
| 13 | tDVWL | Установка данных до низкого WR | 27,5 | 0,5tCLCL -35,0 | нс | ||
| 14 | tWHDX | Удержание данных после высокого WR | 0,0 | 0,0 | нс | ||
| 15 | tDVWH | Действительность данных до высокого WR | 95,0 | 1,0tCLCL -30,0 | нс | ||
| 16 | tWLWH | Ширина импульса WR | 42,5 | нс | |||
Таблица 40. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 4,0 до 6,0 В, состояния ожидания 1 цикл
| Обозн. | Параметр | Генератор 8 МГц | Настраиваемый генератор | Ед. измер. | |||
| Мин | Макс | Мин | Макс | ||||
| 0 | 1/tCLCL | Частота генератора | 0,0 | 8,0 | МГц | ||
| 10 | tRLDV | Низкое чтение до действительных данных | 195,0 | нс | |||
| 12 | tRLRH | Ширина импульса RD | 230,0 | нс | |||
| 15 | tDVWH | Действительность данных до высокого WR | 220,0 | 2,0tCLCL -30,0 | нс | ||
| 16 | tWLWH | Ширина импульса WR | 167,5 | 1,5tCLCL -20,0 | нс | ||
Рис. 68. Временные диаграммы тактирования внешней памяти
Примечание: Тактовый цикл T3 присутствует только в том случае, когда разрешено состояние ожидания внешней SRAM.
Временная диаграмма внешнего тактового сигнала
Таблица 41. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 2,7 до 6,0 В, без состояния ожидания
| Обозн. | Параметр | Генератор 8 МГц | Настраиваемый генератор | Ед. измер. | |||
| Мин | Макс | Мин | Макс | ||||
| 0 | 1/tCLCL | Частота генератора | 0,0 | 4,0 | МГц | ||
| 1 | tLHLL | Ширина импульса ALE | 70,0 | 0,5tCLCL -55,0 | нс | ||
| 2 | tAVLL | Действительность адреса A до низкого ALE | 60,0 | 0,5tCLCL-65,0 | нс | ||
| 3a | tLLAX_ST | Удержание адреса после низкого ALE, команды ST/STD/STS | 130,0 | 0,5tCLCL -65,0 | нс | ||
| 3b | tLLAX_LD | Удержание адреса после низкого ALE, команды LD/LDD/LDS | 15,0 | 15,0 | нс | ||
| 4 | tAVLLC | Действительность адреса C до низкого ALE | 60,0 | 0,5tCLCL-65,0 | нс | ||
| 5 | tAVRL | Действительность адреса до низкого RD | 200,0 | 1,0tCLCL -50,0 | нс | ||
| 6 | tAVWL | Действительность адреса до низкого WR | 325,0 | 1,5tCLCL -50,0 | нс | ||
| 7 | tLLWL | Низкий ALE до низкого WR | 230,0 | 270,0 | нс | ||
| 8 | tLLRL | Низкий ALE до низкого RD | 105,0 | 145,0 | 0,5tCLCL -20,0 | 0,5tCLCL +20,0 | нс |
| 9 | tDVRH | Установка данных до высокого RD | 95,0 | 95,0 | нс | ||
| 10 | tRLDV | Низкое чтение до действительных данных | 170,0 | 1,0tCLCL -80,0 | нс | ||
| 11 | tRHDX | Удержание данных после высокого RD | 0,0 | 0,0 | нс | ||
| 12 | tRLRH | Ширина импульса RD | 230,0 | 1,0tCLCL -20,0 | нс | ||
| 13 | tDVWL | Установка данных до низкого WR | 70,0 | 0,5tCLCL -55,0 | нс | ||
| 14 | tWHDX | Удержание данных после высокого WR | 0,0 | 0,0 | нс | ||
| 15 | tDVWH | Действительность данных до высокого WR | 210,0 | 1,0tCLCL -40,0 | нс | ||
| 16 | tWLWH | Ширина импульса WR | 105,0 | 0,5tCLCL -20,0 | нс | ||
Таблица 42. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 2,7 до 6,0 В, состояния ожидания 1 цикл
| Обозн. | Параметр | Генератор 8 МГц | Настраиваемый генератор | Ед. измер. | |||
| Мин | Макс | Мин | Макс | ||||
| 0 | 1/tCLCL | Частота генератора | 0,0 | 8,0 | МГц | ||
| 10 | tRLDV | Низкое чтение до действительных данных | 420,0 | нс | |||
| 12 | tRLRH | Ширина импульса RD | 480,0 | нс | |||
| 15 | tDVWH | Действительность данных до высокого WR | 460,0 | 2,0tCLCL -40,0 | нс | ||
| 16 | tWLWH | Ширина импульса WR | 355,5 | 1,5tCLCL -20,0 | нс | ||
Временные характеристики внешнего тактового сигнала
| Обозн. | Параметр | VCC =2,7 до 6,0 В | VCC =4,0 до 6,0 В | Ед. изм. | ||
| 1/tCLCL | Частота тактового генератора | 0 | 4 | 0 | 6 | МГц |
| tCLCL | Период тактовой частоты | 250 | 167 | нс | ||
| tCHCX | Длительность по высокому уровню | 0 | 0 | нс | ||
| tCLCX | Длительность по низкому уровню | 0 | 0 | нс | ||
| tCLCH | Длительность нарастающегофронта | 1,6 | 0,5 | мкс | ||
| tCHCL | Длительность падающего фронта | 1,6 | 0,5 | мкс | ||
Информация для заказа
| Рабочая частота, МГц | Напряжение питания, В | Код для заказа | Тип корпуса | Диапазон рабочих температур |
| 4 | 2,7 - 6,0 | ATmega603L-4AC | 64A | Коммерческий (от 0°C до 70°C) |
| ATmega603L-4AI | 64A | Промышленный (от -40°C до 85°C) | ||
| 6 | 4,0 - 6,0 | ATmega603L-6AC | 64A | Коммерческий (от 0°C до 70°C) |
| ATmega603L-6AI | 64A | Промышленный (от -40°C до 85°C) | ||
| 4 | 2,7 - 6,0 | Atmega103L-4AC | 64A | Коммерческий (от 0°C до 70°C) |
| Atmega103L-4AI | 64A | Промышленный (от -40°C до 85°C) | ||
| 6 | 4,0 - 6,0 | 64A | Коммерческий (от 0°C до 70°C) | |
| Atmega103L-6AI | 64A | Промышленный (от -40°C до 85°C) |
| Тип корпуса | |
 64A |
64-выводной тонкий (1,0 мм) квадратный пластмассовый корпус TQFP (Plastic Gull Wing Quad Flat Package) |
| <-- Предыдущая страница | Оглавление | Следующая страница --> |